中國科學院半導體研究所固態光電信息技術研究室H組致力于研究III-V組化合物半導體晶體材料的生長缺陷及表面處理，研制高性能紅外光電探測器及激光器用晶圓材料。根據工作需要，擬招聘研發人員1-2名，相關情況如下：

一、工作方向：

半導體材料的晶體生長、化學腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關研發工作

二、崗位

III-V族化合物半導體材料的物理化學性質測試和相關工藝技術的研發工作

三、人選要求：

（一）熱愛科研工作，踏實努力，具有責任心和團隊合作精神；

（二）具有如下專業背景（任一）：半導體物理、半導體光電子學、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業的優秀碩士畢業生或以上，博士優先；

（三）優先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者：

a)晶體材料生長技術：LEC、VGF等熔體法單晶生長技術；

b)半導體材料測試與表征技術：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；

c)半導體材料模擬；

d)半導體材料化學腐蝕及表面性質研究；

（四）有在相關領域發表專業文章的經歷；

（五）研究生優先考慮有半導體化學、工藝制備、測試表征、超凈間工作經驗者。

四、相關待遇：

1.按照中國科學院及半導體研究所的相關規定辦理五險一金，薪酬從優，面談。

2.北京戶口有望進入編制。

3.業績突出者將享有項目績效。

五、應聘方式：

（1）應聘者需提交各人詳細履歷和《崗位應聘申請表》，電子郵件方式發送至郵箱：請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】；

（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；

六、聯系方式：

電話：010-82304848

郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復。

注：團隊歡迎在讀研究生來所聯合培養！

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來源鏈接：

http://www.semi.cas.cn/zszp/202404/t20240425_7132015.html