一、課題組簡介
實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室專注于寬禁帶半導體材料相關的基礎研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導體領域的“卡脖子”技術難題，推動寬禁帶半導體材料的快速發展，提高我國在寬禁帶半導體領域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創中心雙聘教授2人、科創百人5人、博士后和技術開發專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等國際期刊發表SCI論文40余篇，申請國家發明專利70余項，其中授權12項，申請實用新型專利30余項，其中授權17項。
主要負責人簡介：宋立輝，求是科創學者（“科創百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室。2010年本科畢業于浙江大學，2011-2015年在澳大利亞新南威爾士大學完成研究生學習，取得博士學位。2016-2021年任職于杭州電子科技大學，擔任副教授。宋立輝博士長期從事先進光伏技術（晶硅方向），第三代半導體材料（碳化硅方向）的研究。近年來，在Prog in photovoltaics、Solar rrl、Solar energy materials and solar cells、Solar energy、Appl. Phys. Lett.等國際知名期刊發表論文50余篇。完成晶硅太陽能電池方向英語學術專著2本, 授權中國發明專利3項，國際（多國）發明專利6項，其中國際發明專利“Advanced hydrogenation of silicon solar cells”（主要發明人之一）廣泛應用于生產領域，取得數百億元經濟效益。主持國家自然科學基金項目、浙江省基礎科研經費項目等多項科研基金。此外，擔任Prog in photovoltaics、Solar energy materials and solar cells, Solar energy等國際知名期刊的審稿人。
二、重點引進方向
寬禁帶半導體材料碳化硅的缺陷工程與雜質調控（滿足其一即可）
方向1，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的基本性質；
方向2，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的檢測方法；
方向3，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的消除或鈍化方法；
方向4，探索碳化硅材料的輻照效應和抗輻照研究。
三、申請條件
1. 具有博士學位，品學兼優，身心健康；
2. 具有材料、物理、光電、化學等學科背景；
3. 近三年曾作為第一作者至少發表了1篇具有一定影響力的研究論文；
4. 具有良好的英語聽說讀寫能力；
5. 近五年內獲得博士學位，品學兼優，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；
6. 熟悉碳化硅（SiC）的缺陷工程的表征技術者優先。
四、待遇及保障條件
1.根據科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；
2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區分別給予相應配套資助；
3.提供一流的實驗與科學研究條件；
4.協助申請杭州市、蕭山區人才配套用房；
5.工作期間表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心“求是科創學者”崗位或技術開發崗位；
6.在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
五、申請材料
1.個人簡歷；
2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3.博士學位論文。
申請人將以上材料電子版發送至科創中心人力資源部郵箱：hr-hic@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“宋立輝課題組+博士后+姓名+高校人才網”標明。【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】
六、聯系方式:
聯系人：徐老師
聯系電話：0571-82491973
地址：
①水博園區地址：杭州市蕭山區平瀾路2118號。
②信息港園區地址：杭州市蕭山區建設三路733號。
【高才博士后】網站→https://boshihou.gaoxiaojob.com
