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職位詳情
基本信息
崗位職責
重點引進方向
寬禁帶半導體材料碳化硅的缺陷工程與雜質調控（滿足其一即可）
方向1，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的基本性質；
方向2，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的檢測方法；
方向3，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的消除或鈍化方法；
方向4，探索碳化硅材料的輻照效應和抗輻照研究。
寬禁帶半導體材料碳化硅的缺陷工程與雜質調控（滿足其一即可）
方向1，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的基本性質；
方向2，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的檢測方法；
方向3，探索碳化硅材料中缺陷與雜質的消除或鈍化方法；
方向4，探索碳化硅材料的輻照效應和抗輻照研究。
任職要求
1. 具有博士學位，品學兼優，身心健康；
2. 具有材料、物理、光電、化學等學科背景；
3. 近三年曾作為第一作者至少發表了1篇具有一定影響力的研究論文；
4. 具有良好的英語聽說讀寫能力；
5. 近五年內獲得博士學位，品學兼優，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；
6. 熟悉碳化硅（SiC）的缺陷工程的表征技術者優先。
2. 具有材料、物理、光電、化學等學科背景；
3. 近三年曾作為第一作者至少發表了1篇具有一定影響力的研究論文；
4. 具有良好的英語聽說讀寫能力；
5. 近五年內獲得博士學位，品學兼優，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；
6. 熟悉碳化硅（SiC）的缺陷工程的表征技術者優先。
其他說明
待遇及保障條件
1.根據科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；
2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區分別給予相應配套資助；
3.提供一流的實驗與科學研究條件；
4.協助申請杭州市、蕭山區人才配套用房；
5.工作期間表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心“求是科創學者”崗位或技術開發崗位；
6.在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
申請材料
1.個人簡歷；
2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3.博士學位論文。
1.根據科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；
2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區分別給予相應配套資助；
3.提供一流的實驗與科學研究條件；
4.協助申請杭州市、蕭山區人才配套用房；
5.工作期間表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心“求是科創學者”崗位或技術開發崗位；
6.在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
申請材料
1.個人簡歷；
2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3.博士學位論文。
競爭力分析
解鎖詳細分析
您與該職位匹配度: ***，已超過了
*** 的競爭者，建議************
您在 ？位置
較低
一般
比較匹配
非常匹配
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